Прорыв в транзисторах

Ученые с Тайваня вместе с инженерами TSMC сделали прорыв в создании транзисторов нового поколения. Они сделали транзистор из слоя дисульфида молибдена, повышая эффективность управления током. Ранее проблемой было соединение материалов, теперь найден способ сблизить атомы без их взаимного влияния. Это шаг к производству микросхем на основе двумерной электроники. Новая технология может существенно повысить эффективность электронных устройств. Она открывает путь к созданию новых быстрых и мощных процессоров и других полупроводниковых приборов. Результатом сотрудничества ученых и инженеров стал важный шаг вперед в развитии электроники.